Sebuah teknologi RAM (Random Access Memory) baru saat ini tengah dikembangkan oleh para peneliti.
Dengan kombinasi tersebut, konsumsi energi RAM menjadi lebih hemat daya namun memiliki kecepatan
yang jauh lebih baik.
FeTRAM, ferroelectric transistor random acces memory, merupakan hasil kombinasi
antara nanowire dengan polimer. Menurut pembuatnya di Birck Nanotechnology Center (BNC)
di Purdue University, berkat kombinasi tersebut, FetRAM memiliki performa tersendiri
dibandingkan dengan RAM tradisional.
Ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan untuk berganti polaritas
sesuai dengan medan yang berada di dekatnya. Sifat ini kemudian dimanfaatkan oleh
para peneliti di BNC untuk membentuknya menjadi transistor ferroelektrik yang saat ini
masih belum ada di pasaran.
